沉痛！中國半導體硅材料奠基人梁駿吾逝世
作者：羅靈姣 日期：2022-06-26 08:43:01 點擊數：
6月23日，中國科學院半導體研究所發布訃告：中國工程院院士、中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體材料學家梁駿吾先生因病醫治無效，不幸于2022年6月23日17時在北京逝世，享年89歲。
梁駿吾，1933年9月18日出生，湖北武漢人。1955年畢業于武漢大學，1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學位，1960年獲技術科學副博士學位。1997年當選為中國工程院院士。曾任中國電子學會半電子材料學分會主任、名譽主任。梁駿吾是我國從事硅材料研究的元老級專家，在20世紀60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs液相外延材料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。上世紀80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。目前90％以上的半導體產品使用硅基材料制造。半導體硅片是半導體制造的核心材料，亦是半導體產業的基石，約占半導體制造材料的三分之一。半導體硅片又稱硅晶圓片，是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成集成電路和各種半導體器件。
